文章摘要:本文首先通过引入新型油酸配位剂，解决已有溶胶凝胶法成膜较差的问题。接着通过引入紫外/红外双光源退火工艺，与传统热退火工艺相比，该方法能够在较低温度条件下实现锆盐分解还原氧化形成高质量氧化锆薄膜，并通过紫外分光计、原子力显微镜和X射线光电子能谱分析等技术方法对制备的氧化锆薄膜进行材料表征对比，进而分析其内在物理机理。结果显示通过该方法成功实现低温条件下（<120 ℃）高质量氧化锆薄膜的制备，其光学带隙为5.66 eV，相对介电常数为22.6，漏电流密度小于10^-9 A/cm²@4M，表面粗糙度为0.27 nm，达到同类方法前列。最后，基于该氧化锆薄膜绝缘层制备出低驱动电压的稠合噻吩-吡咯并吡咯二酮聚合物薄膜晶体管，其迁移率为0.5 cm²/Vs，阈值电压-0.47 V,电流开关比3.6×10⁷，和亚阈值摆幅0.16 V/dec。

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